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PECVD(等离子体增强化学气相沉积)

当采用PECVD工艺时,正如CVD工艺(化学气相沉积),仅使用气体。与传统的CVD采用的1000℃或更高的沉积温度相比,PECVD工艺的沉积温度相当低(100-600℃)。在DLC(类金刚石)膜层沉积期间,等离子是用于增强反应以及加强反应气体(如C₂H₂ or CH₄)的离解。

也可以采用组合的工艺,如

为了沉积良好结合力的DLC膜层,结合力层必须在DLC构成前沉积。通过电弧蒸发沉积的Cr(铬)是提高DLC结合力的一个极好的选择。

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