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2017 – ein Jahr großer Herausforderungen


4,2 m hoch, 3.000 kg schwer – XXL-Anlage auf dem Weg nach China

TECHNOLOGIE

PECVD
(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)

Beim PECVD-Verfahren wird analog dem klassischen CVD (Chemical Vapor Depositen)-Verfahren nur mit Gasen gearbeitet. Während jedoch beim CVD-Verfahren zumeist mit Temperaturen von oberhalb 1000 °C beschichtet wird, macht sich das plasma-unterstützte CVD-Verfahren die deutlich niedrigeren Temperaturen im Bereich von 100–600°C zu Nutze. Das Plasma dient dabei als Katalysator für die Reaktion bzw. der Aufspaltung der Reaktivgase, so. z.B. bei der Abscheidung von DLC (Diamond Like Carbon)-Schichten (diamantähnlicher Kohlenstoff) durch Aufspaltung von C₂H₂ oder CH₄.

Auch eine Kombination der Verfahren wie z.B.

kann eingesetzt werden.

Für die haftfeste Abscheidung von DLC-Schichten wird jedoch häufig eine Anbindungsschicht benötigt, indem z.B. eine Cr (Chrom)-Schicht mittels Lichtbogenverdampfung zuvor abgeschieden wird.

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Konzeption und Gestaltung:
formsprache. industriedesign
 (Darmstadt)
rosagelb
 (Frankfurt)